Spécifications :

• Transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) avec construction robuste en tranchée offrant une solution économique et fiable pour les applications de commutation de puissance efficaces.
• Performance supérieure dans les opérations de commutation exigeantes offrant une faible tension en conduction avec des pertes de commutation minimales pour une meilleure efficacité et performance.

DONNÉES DE PLAGE