Spécifications :

• Transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) avec une construction en tranchée robuste et économique offrant des performances fiables, une durabilité améliorée et une gestion efficace de la puissance.
• Performance supérieure dans les applications de commutation exigeantes offrant une faible tension en conduction avec des pertes de commutation minimales, garantissant une efficacité accrue et un fonctionnement optimisé.

DONNÉES DE GAMME