Especificaciones:

• Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT) con construcción robusta de trinchera que proporciona una solución rentable y fiable para aplicaciones de conmutación de potencia eficientes.
• Rendimiento superior en operaciones de conmutación exigentes que ofrece un bajo voltaje en estado activo con pérdidas mínimas de conmutación para mejorar la eficiencia y el rendimiento.

DATOS DEL RANGO