Especificaciones:

• Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT) con construcción robusta y rentable en trinchera que proporciona un rendimiento fiable, mayor durabilidad y capacidades eficientes de manejo de potencia.
• Rendimiento superior en aplicaciones de conmutación exigentes que ofrece un bajo voltaje en estado activo con pérdidas mínimas por conmutación, garantizando una mayor eficiencia y operación optimizada.

DATOS DEL RANGO